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Herstellung von "wide-Gap" Halbleiter-Epitaxieschichten und -schichtsystemen mittels
metallorganischer Gasphasenepitaxie, insbesondere aus der Gruppe der nitridischen
III-V Halbleiter (Ga,Al)N auf Si-Substrat und von ZnO.
Anwendungen:
- Blaue und grüne Lichtemitter, preiswerte Lichtemitter auf Silizium-Substrat
- GaN basierte Transistorstrukturen auf Silizium-Substrat
- Strukturelle Untersuchungen an epitaktischen und amorphen und nanokristallinen Schichten und -Schichtsystemen
mittels konventionellen und hochauflösenden Röntgenmethoden
- Charakterisierung von Halbleiterbauelementen (Einzel-Elektron-Transistoren, Detektoren, Sensoren,
Lumineszenzdioden, Laserdioden) mittels Hall-Effekt, C-V, DLTS, optischer Admittanzspektroskopie, etc.
- Elektrische Mikrocharakterisierung von Halbleiterbauelementen mittels elektrisch sensitiver Rastersondenmikroskopieverfahren (SSPM, EFM, SCM)
- Weiterentwicklung dieser SPM-Techniken zur ortsaufgelösten Defektspektroskopie (temperaturabhängig und mit optischer Anregung)
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Untersuchungen des elektronischen Transports von Halbleitern und Metall-Dünnschichtsystemen
bei tiefen Temperaturen (bis 4 K) und hohen Magnetfeldern (bis 7 T)
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Herstellung von Halbleiterbauelementen (LEDs, Detektoren, Sensoren etc.) auf
der Basis der epitaxierten Halbleiterschichtstrukturen und deren Charakterisierung
- Ankopplung von Halbleitermaterialien an neuronale Netzwerke; Entwicklung eines Kommunikationsinterface zwischen beiden
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