http://www.uni-magdeburg.de/search

Prof. Goldhahn

Prof. Dr. rer. nat. habil. Rüdiger Goldhahn

Fakultät für Naturwissenschaften
Abteilung Materialphysik
Gebäude 16, Universitätsplatz 2, 39106, Magdeburg, Gebäude 16, Raum 018
Tel.: +49 391 67 58675
Fax: +49 391 67 18108

Prof. Dr. rer. nat. habil. Rüdiger Goldhahn

Fakultät für Naturwissenschaften
Abteilung Materialphysik
Gebäude 16, Universitätsplatz 2, 39106, Magdeburg, Gebäude 16, Raum 018
Tel.: +49 391 67 58675
Fax: +49 391 67 18108
Projekte
Publikationen

2017

Begutachteter Zeitschriftenartikel
Segura, A.;  Artús, L.;  Cuscó, R.;  Goldhahn, Rüdiger;  Feneberg, Martin 

Band gap of corundumlike α-Ga 2O 3 determined by absorption and ellipsometry determined by absorption and ellipsometry
In: Physical review materials - College Park, MD: APS, Vol. 1.2017, 2, Art. 024604; http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevMaterials.1.024604

2016

Begutachteter Zeitschriftenartikel
Demchenko, D. O.;  Izyumskaya, N.;  Feneberg, Martin;  Avrutin, V.;  Özgür, Ü.;  Goldhahn, Rüdiger;  Morkoç, H. 

Optical properties of the organic-inorganic hybrid perovskite CH3NH3PbI3 - theory and experiment
In: Physical review. - Woodbury, NY : Inst, Bd. 94.2016, 7

Feneberg, Martin;  Nixdorf, Jakob;  Lidig, Christian;  Goldhahn, Rüdiger;  Galazka, Zbigniew;  Bierwagen, Oliver;  Speck, James S. 

Erratum: Many-electron effects on the dielectric function of cubic In 2O 3 - effective electron mass, band nonparabolicity, band gap renormalization, and Burstein-Moss shift
In: Physical review. - Woodbury, NY : Inst; Vol. 93.2016, 23, Art. 239905

Feneberg, Martin;  Nixdorf, Jakob;  Lidig, Christian;  Goldhahn, Rüdiger;  Galazka, Zbigniew;  Bierwagen, Oliver;  Speck, James S. 

Many-electron effects on the dielectric function of cubic In 2 O 3 - effective electron mass, band nonparabolicity, band gap renormalization, and Burstein-Moss shift
In: Physical review. - Woodbury, NY : Inst, Bd. 93.2016, 4

Freytag, Stefan;  Feneberg, Martin;  Berger, Christoph;  Bläsing, Jürgen;  Dadgar, Armin;  Callsen, Gordon;  Hoffmann, Axel;  Bokov, Pavel;  Goldhahn, Rüdiger 

Unintentional indium incorporation into barriers of InGaN/GaN multiple quantum wells studied by photoreflectance and photoluminescence excitation spectroscopy
In: Journal of applied physics : AIP\'s archival journal for significant new results in applied physics. - Melville, NY : American Inst. of Physics; Vol. 120.2016, 1, Art. 015703

Minj, A.;  Romero, M. F.;  Wang, Y.;  Tuna, Ö.;  Feneberg, Martin;  Goldhahn, Rüdiger;  Schmerber, G.;  Ruterana, P.;  Giesen, C.;  Heuken, M. 

Stimulated emission via electron-hole plasma recombination in fully strained single InGaN/GaN heterostructures
In: Applied physics letters. - Melville, NY : American Inst. of Physics; Vol. 109.2016, 22, Art. 221106

Neumann, M. D.;  Esser, N.;  Chauveau, J.-M.;  Goldhahn, Rüdiger;  Feneberg, Martin 

Inversion of absorption anisotropy and bowing of crystal field splitting in wurtzite MgZnO
In: Applied physics letters. - Melville, NY : American Inst. of Physics; Vol. 108.2016, 22, Art. 221105, insgesamt 6 S.

2015

Begutachteter Zeitschriftenartikel
Bokov, P. Yu.;  Brazzini, T.;  Romero, M. F.;  Calle, F.;  Feneberg, Martin;  Goldhahn, Rüdiger 

Electroreflectance characterization of AlInGaN/GaN high-electron mobility heterostructures
In: Semiconductor science and technology : devoted exclusively to semiconductor research and applications. - Bristol : IOP Publ; Vol. 30.2015, 8, Art. 085014, insgesamt 6 S.

Feneberg, Martin;  Winkler, Michael;  Klamser, Juliane;  Stellmach, Joachim;  Frentrup, Martin;  Ploch, Simon;  Mehnke, Frank;  Wernicke, Tim;  Kneissl, Michael;  Goldhahn, Rüdiger 

Anisotropic optical properties of semipolar AlGaN layers grown on m-plane sapphire
In: Applied physics letters. - Melville, NY : American Inst. of Physics; Vol. 106.2015, 18, Art. 182102, insgesamt 5 S.

Gridneva, E.;  Richter, E.;  Feneberg, Martin;  Weyers, M.;  Goldhahn, Rüdiger;  Tränkle, G. 

Effect of carrier gas in hydride vapor phase epitaxy on optical and structural properties of GaN
In: Physica status solidi / B. - Weinheim : Wiley-VCH, Bd. 252.2015, 5, S. 1180-1188

Reich, Christoph;  Guttmann, Martin;  Feneberg, Martin;  Wernicke, Tim;  Mehnke, Frank;  Kuhn, Christian;  Rass, Jens;  Lapeyrade, Mickael;  Einfeldt, Sven;  Knauer, Arne;  Kueller, Viola;  Weyers, Markus;  Goldhahn, Rüdiger;  Kneissl, Michael 

Strongly transverse-electric-polarized emission from deep ultraviolet AlGaN quantum well light emitting diodes
In: Applied physics letters. - Melville, NY : American Inst. of Physics; Vol. 107.2015, 14, Art. 142101, insgesamt 6 S.

Tessarek, C.;  Goldhahn, Rüdiger;  Sarau, G.;  Heilmann, M.;  Christiansen, S. 

Carrier-induced refractive index change observed by a whispering gallery mode shift in GaN microrods
In: New journal of physics : the open-access journal for physics. - [Bad Honnef] : Dt. Physikalische Ges; Vol. 17.2015, 8, Art. 083047, insgesamt 9 S.

Wecker, T.;  Hörich, Florian;  Feneberg, Martin;  Goldhahn, Rüdiger;  Reuter, D.;  As, D. J. 

Structural and optical properties of MBE-grown asymmetric cubic GaN/Al x Ga 1- x N double quantum wells
In: Physica status solidi / B. - Weinheim : Wiley-VCH, Bd. 252.2015, 5, S. 873-878

Buchbeitrag
Goldhahn, Rüdiger;  Lange, Karsten;  Feneberg, Martin 

Optical properties and band structure of highly doped gallium nitride
In: Proceedings of SPIE. - Bellingham, Wash : SPIE; Vol. 9363.2015, Art. 93630G

2014

Begutachteter Zeitschriftenartikel
Feneberg, Martin;  Lidig, Christian;  Lange, Karsten;  White, Mark E.;  Tsai, Min Y.;  Speck, James S.;  Bierwagen, Oliver;  Goldhahn, Rüdiger 

Anisotropy of the electron effective mass in rutile SnO2 determined by infrared ellipsometry
In: Physica status solidi. - Weinheim : Wiley-VCHPhysica status solidi / A, Bd. 211.2014, 1, S. 82-86

Feneberg, Martin;  Osterburg, Sarah;  Lange, Karsten;  Lidig, Christian;  Garke, Bernd;  Goldhahn, Rüdiger;  Richter, Eberhard;  Netzel, Carsten;  Neumann, Maciej D.;  Esser, Norbert;  Fritze, Stephanie;  Witte, Hartmut;  Bläsing, Jürgen;  Dadgar, Armin;  Krost, Alois 

Band gap renormalization and Burstein-Moss effect in silicon- and germanium-doped wurtzite GaN up to 1020 cm-3
In: Physical review. - College Park, Md : APSPhysical review / B; Vol. 90.2014, 7, Art. 075203, insgesamt 10 S.

Feneberg, Martin;  Osterburg, Sarah;  Romero, María Fátima;  Garke, Bernd;  Goldhahn, Rüdiger;  Neumann, Maciej D.;  Esser, Norbert;  Yan, Jianchang;  Zeng, Jianping;  Wang, Junxi;  Li, Jinmin 

Optical properties of magnesium doped Al x Ga1 x N (0.61 ≤ x ≤ 0.73)
In: Journal of applied physics. - Melville, NY : American Inst. of Physics; Vol. 114.2014, Art. 143103, insgesamt 8 S.

Feneberg, Martin;  Lidig, Christian;  Lange, Karsten;  Goldhahn, Rüdiger;  Neumann, Maciej D.;  Esser, Norbert;  Bierwagen, Oliver;  White, Mark E.;  Tsai, Min Y.;  Speck, James S. 

Ordinary and extraordinary dielectric functions of rutile SnO2 up to 20 eV
In: Applied physics letters. - Melville, NY : American Inst. of Physics; Vol. 104.2014, Art. 231106, insgesamt 5 S.

Feneberg, Martin;  Romero, María Fátima;  Neuschl, Benjamin;  Thonke, Klaus;  Röppischer, Marcus;  Cobet, Christoph;  Esser, Norbert;  Bickermann, Matthias;  Goldhahn, Rüdiger 

Temperature dependent dielectric function and reflectivity spectra of nonpolar wurtzite AlN
In: Thin solid films. - Amsterdam [u.a.] : Elsevier; Vol. 571.2014, part 3, S. 502-595

Netzel, Carsten;  Stellmach, Joachim;  Feneberg, Martin;  Frentrup, Martin;  Winkler, Michael;  Mehnke, Frank;  Wernicke, Tim;  Goldhahn, Rüdiger;  Kneissl, Michael;  Weyers, Markus 

Polarization of photoluminescence emission from semi-polar (1122) AlGaN layers
In: Applied physics letters. - Melville, NY : American Inst. of Physics; Vol. 104.2014, 5, Art. 051906

2013

Begutachteter Zeitschriftenartikel
Brazzini, Tommaso;  Pandrey, Saurabh;  Romero, María Fátima;  Bokov, Pavel Yu.;  Feneberg, Martin;  Tabares, Gema;  Cavallini, Anna;  Goldhahn, Rüdiger;  Calle, Fernando 

Impact of AlN Spacer on metalsemiconductormetal PtInAlGaN/GaN heterostructures for ultraviolet detection
In: Japanese journal of applied physics. - Tokyo : Inst. of Pure and Applied Physics; Vol. 52.2013, Art. 08jk04, insgesamt 4 S.

Feneberg, Martin;  Romero, María Fátima;  Röppischer, Marcus;  Cobet, Christoph;  Esser, Norbert;  Neuschl, Benjamin;  Thonke, Klaus;  Bickermann, Matthias;  Goldhahn, Rüdiger 

Anisotropic absorption and emission of bulk (1-100) AlN
In: Physical review. - College Park, Md : APSPhysical review / B; Vol. 87.2012, 23, Art. 235209, insgesamt 9 S., 2013

Feneberg, Martin;  Lange, Karsten;  Lidig, Christian;  Wieneke, Matthias;  Witte, Hartmut;  Bläsing, Jürgen;  Dadgar, Armin;  Krost, Alois;  Goldhahn, Rüdiger 

Anisotropy of effective electron masses in highly doped nonpolar GaN
In: Applied physics letters. - Melville, NY : American Inst. of Physics; Vol. 103.2013, 23, Art. 232104, insgesamt 5 S.

Feneberg, Martin;  Romero, María Fátima;  Neuschl, Benjamin;  Thonke, Klaus;  Röppischer, Marcus;  Cobet, Christoph;  Esser, Norbert;  Bickermann, Matthias;  Goldhahn, Rüdiger 

Negative spin-exchange splitting in the exciton fine structure of AlN
In: Applied physics letters. - Melville, NY : American Inst. of Physics; Vol. 102.2013, 5, Art. 052112, insgesamt 4 S.

Himmerlich, Marcel;  Knübel, Andreas;  Aidam, Rolf;  Kirste, Lutz;  Eisenhardt, Anja;  Krischok, Stefan;  Pezoldt, Jörg;  Schley, Pascal;  Sakalauskas, Egidijus;  Goldhahn, Rüdiger;  Félix, R.;  Mánuel, J. M.;  Morales, Francisco M.;  Carvalho, D.;  Ben, T.;  García, R.;  Koblmüller, G. 

N-type conductivity and properties of carbon-doped InN(0001) films grown by molecular beam epitaxy
In: Journal of applied physics. - Melville, NY : American Inst. of Physics, Bd. 113.2013, 3, S. 033501, insges. 11 S.

Landmann, M.;  Rauls, E.;  Schmidt, W. G.;  Röppischer, Marcus;  Cobet, Christoph;  Esser, Norbert;  Schupp, Thorsten;  As, Donat J.;  Feneberg, Martin;  Goldhahn, Rüdiger 

Transition energies and direct-indirect band gap crossing in zinc-blende Al_{x}Ga_{1 x}N
In: Physical review. - College Park, Md : APSPhysical review / B; Vol. 87.2013, 19, Art. 195210, insgesamt 21 S.

Lenk, Steve;  Schwarz, Felix;  Goldhahn, Rüdiger;  Runge, Erich 

Multivalence-band calculation of the excitonic dielectric function for hexagonal GaN
In: Journal of physics. - Bristol : IOP PublJournal of physics / Condensed matter, Bd. 25.2013, 17

Neuschl, B.;  Thonke, K.;  Feneberg, Martin;  Goldhahn, Rüdiger;  Wunderer, T.;  Yang, Z.;  Johnson, N. M.;  Xie, J.;  Mita, S.;  Rice, A.;  Collazo, R.;  Sitar, Z. 

Direct determination of the silicon donor ionization energy in homoepitaxial AlN from photoluminescence two-electron transitions
In: Applied physics letters. - Melville, NY : American Inst. of Physics; Vol. 103.2013, 12, Art. 122105, insgesamt 5 S.

Reich, Christoph;  Feneberg, Martin;  Kueller, Viola;  Knauer, Arne;  Wernicke, Tim;  Schlegel, Jessica;  Frentrup, Martin;  Goldhahn, Rüdiger;  Weyers, Markus;  Kneissl, Michael 

Excitonic recombination in epitaxial lateral overgrown AlN on sapphire
In: Applied physics letters. - Melville, NY : American Inst. of Physics; Vol. 103.2013, 21, Art. 212108, insgesamt 5 S.

Romero, María Fátima;  Feneberg, Martin;  Moser, Pascal;  Berger, Christoph;  Bläsing, Jürgen;  Dadgar, Armin;  Krost, Alois;  Sakalauskas, Egidijus;  Calle, Fernando;  Goldhahn, Rüdiger 

Systematic optical characterization of two-dimensional electron gases in InAlN/GaN-based heterostructures with different in content
In: Japanese journal of applied physics. - Tokyo : Inst. of Pure and Applied Physics; Vol. 52.2013, Art. 08jk02, insgesamt 4 S.

Wieneke, Matthias;  Witte, Hartmut;  Lange, Karsten;  Feneberg, Martin;  Dadgar, Armin;  Bläsing, Jürgen;  Goldhahn, Rüdiger;  Krost, Alois 

Ge as a surfactant in metal-organic vapor phase epitaxy growth of a-plane GaN exceeding carrier concentrations of 10 20 cm -3
In: Applied physics letters. - Melville, NY : American Inst. of Physics; Vol. 103.2013, Art. 012103, insgesamt 4 S.

2012

Originalartikel in begutachteter internationaler Zeitschrift
Berger, Christoph;  Dadgar, Armin;  Bläsing, Jürgen;  Franke, Alexander;  Hempel, Thomas;  Goldhahn, Rüdiger;  Christen, Jürgen;  Krost, Alois 

Growth of AlInN/AlGaN distributed Bragg reflectors for high quality microcavities
In: Physica status solidi. - Berlin : Wiley-VCHPhysica status solidi / C, Bd. 9.2012, 5, S. 1253-1258

Feneberg, Martin;  Röppischer, Marcus;  Cobet, Christoph;  Esser, Norbert;  Schörmann, Jörg;  Schupp, Thorsten;  As, Donat J.;  Hörich, Florian;  Bläsing, Jürgen;  Krost, Alois;  Goldhahn, Rüdiger 

Optical properties of cubic GaN from 1 to 20 eV
In: Physical review. - Ridge, NY : APSPhysical review / B, Bd. 85.2012, 15, insges. 7 S.

Reuters, Benjamin;  Wille, Ada;  Holländer, Bernhard;  Sakalauskas, Egidijus;  Ketteniß, Nico;  Mauder, Christof;  Goldhahn, Rüdiger;  Heuken, Michael;  Kalisch, Holger;  Vescan, Andrei 

Growth studies on quaternary AlInGaN layers for HEMT application
In: Journal of electronic materials. - Warrendale, Pa : TMS, Bd. 41.2012, 5, S. 905-909

Romero, Maria Fatima;  Feneberg, Martin;  Moser, Pascal;  Berger, Christoph;  Bläsing, Jürgen;  Dadgar, Armin;  Krost, Alois;  Sakalauskas, E.;  Goldhahn, Rüdiger 

Luminescence from two-dimensional electron gases in InAlN/GaN heterostructures with different In content
In: Applied physics letters. - Melville, NY : AIP, Bd. 100.2012, 21, insges. 4 S.

Romero, Michael F.;  Feneberg, Martin;  Moser, Pascal;  Berger, C.;  Bläsing, Jürgen;  Dadgar, Armin;  Krost, Alois;  Sakalauskas, Egidijus;  Goldhahn, Rüdiger 

Luminescence from two-dimensional electron gases in InAlN/GaN heterostructures with different In content
In: Applied physics letters. - Melville, NY : AIP, Bd. 100.2012, 21, insges. 4 S.

Sakalauskas, E.;  Wieneke, Matthias;  Dadgar, Armin;  Gobsch, G.;  Krost, Alois;  Goldhahn, Rüdiger 

Optical anisotropy of a-plane Al0.8In0.2N grown on an a-plane GaN pseudosubstrate
In: Physica status solidi. - Weinheim : Wiley-VCHPhysica status solidi / A, Bd. 209.2012, 1, S. 29-32

Sakalauskas, Egidijus;  Tuna, Ö.;  Kraus, A.;  Bremers, H.;  Rossow, Uwe;  Giesen, C.;  Heuken, Michael;  Hangleiter, Andreas;  Gobsch, Gerhard;  Goldhahn, Rüdiger 

Dielectric function and bowing parameters of InGaN alloys
In: Physica status solidi. - Weinheim : Wiley-VCHPhysica status solidi / B, Bd. 249.2012, 3, S. 485-488

2011

Originalartikel in begutachteter internationaler Zeitschrift
Feneberg, Martin;  Neuschl, Benjamin;  Thonke, Klaus;  Collazo, Ramón;  Rice, Anthony;  Sitar, Zlatko;  Dalmau, Rafael;  Xie, Jinqiao;  Mita, Seiji;  Goldhahn, Rüdiger 

Sharp bound and free exciton lines from homoepitaxial AlN
In: Physica status solidi / A: pss - Berlin: Wiley-VCH, Bd. 208.2011, 7, S. 1520-1522; http://dx.doi.org/10.1002/pssa.201000947

Feneberg, Martin;  Röppischer, Marcus;  Esser, Norbert;  Cobet, Christoph;  Neuschl, Benjamin;  Meisch, Tobias;  Thonke, Klaus;  Goldhahn, Rüdiger 

Synchrotron-based photoluminescence excitation spectroscopy applied to investigate the valence band splittings in AlN and Al 0.94Ga 0.06N
In: Applied physics letters - Melville, NY: AIP, 99.2011, 2, Art. 021903, insgesamt 3 S.; http://dx.doi.org/10.1063/1.3610469

Kraft, C.;  Hädrich, M.;  Metzner, H.;  Reislöhner, U.;  Schley, P.;  Goldhahn, Rüdiger 

Investigation of the excitonic luminescence band of CdTe solar cells by photoluminescence and photoluminescence excitation spectroscopy
In: Thin solid films: international journal on the science and technology of condensed matter films - Amsterdam [u.a.] Elsevier, Bd. 519.2011, 21, S. 7173-7175; http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2011.01.371

Kraft, C.;  Brömel, A.;  Schönherr, S.;  Hädrich, M.;  Reislöhner, U.;  Schley, P.;  Gobsch, G.;  Goldhahn, Rüdiger;  Wesch, W.;  Metzner, H. 

Phosphorus implanted cadmium telluride solar cells
In: Thin solid films: international journal on the science and technology of condensed matter films - Amsterdam [u.a.] Elsevier, Bd. 519.2011, 21, S. 7153-7155; http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2011.01.389

Kraus, A.;  Hammadi, S.;  Hisek, J.;  Buß, R.;  Jönen, H.;  Bremers, H.;  Rossow, Uwe;  Sakalauskas, Egidijus;  Goldhahn, Rüdiger;  Hangleiter, Andreas 

Growth and characterization of InGaN by RF-MBE
In: Journal of crystal growth - Amsterdam [u.a.]: Elsevier, Bd. 323.2011, 1, S. 72-75; http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2010.10.124 ; Kongress: International Conference on Molecular Beam Epitaxy (ICMBE) 16 (Berlin : 2010.08.20-22

Kumar, S.;  Pandey, S.;  Gupta, S. K.;  Maurya, Tarun K.;  Schley, P.;  Gobsch, G.;  Goldhahn, Rüdiger 

Band structure and optical properties of hexagonal In-rich In xAl 1-xN alloys
In: Journal of physics / Condensed matter: a journal recognized by the European Physical Society - Bristol: IOP Publ. Ltd., 23.2011, 47, Art. 475801; http://dx.doi.org/10.1088/0953-8984/23/47/475801

Köhler, Klaus;  Müller, S.;  Waltereit, Patrick;  Pletschen, W.;  Polyakov, Vladimir M.;  Lim, T.;  Kirste, L.;  Menner, H. P.;  Brückner, P.;  Ambacher, Oliver;  Buchheim, Carsten;  Goldhahn, Rüdiger 

Electrical properties of Al xGa 1- xN/GaN heterostructures with low Al content
In: Journal of applied physics - Melville, NY: AIP, Bd. 109.2011, 5, S. 053705, insges. 5 S.; http://dx.doi.org/10.1063/1.3553866

Neumann, M. D.;  Cobet, C.;  Esser, N.;  Laumer, B.;  Wassner, T. A.;  Eickhoff, M.;  Feneberg, Martin;  Goldhahn, Rüdiger 

Optical properties of MgZnO alloys - excitons and exciton-phonon complexes
In: Journal of applied physics - Melville, NY: AIP, 110.2011, 1, Art. 013520, insgesamt 8 S.; http://dx.doi.org/10.1063/1.3606414

Riefer, A.;  Fuchs, F.;  Rödl, C.;  Schleife, A.;  Bechstedt, F.;  Goldhahn, Rüdiger 

Interplay of excitonic effects and van Hove singularities in optical spectra: CaO and AlN polymorphs
In: Physical review / B - Ridge, NY: APS, 84.2011, 7, Art. 075218, insgesamt 13 S.; http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.84.075218

Rossbach, Georg;  Feneberg, Martin;  Röppischer, Marcus;  Werner, Christoph;  Esser, Norbert;  Cobet, Christoph;  Meisch, Tobias;  Thonke, Klaus;  Dadgar, Armin;  Bläsing, Jürgen;  Krost, Alois;  Goldhahn, Rüdiger 

Influence of exciton-phonon coupling and strain on the anisotropic optical response of wurtzite AlN around the band edge
In: Physical review / B - Ridge, NY: APS, 83.2011, 19, Art. 195202, insgesamt 7 S.; http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.83.195202

Sakalauskas, E.;  Reuters, B.;  Rahimzadeh Khoshroo, L.;  Kalisch, H.;  Heuken, M.;  Vescan, A.;  Röppischer, M.;  Cobet, C.;  Gobsch, G.;  Goldhahn, Rüdiger 

Dielectric function and optical properties of quaternary AlInGaN alloys
In: Journal of applied physics - Melville, NY: AIP, 110.2011, 1, Art. 013102, insgesamt 9 S.; http://dx.doi.org/10.1063/1.3603015

Sakalauskas, E.;  Behmenburg, H.;  Schley, P.;  Gobsch, G.;  Giesen, C.;  Kalisch, H.;  Jansen, R. H.;  Heuken, M.;  Goldhahn, Rüdiger 

Dielectric function of Al-rich AlInN in the range 1 - 18 eV
In: Physica status solidi / A: pss - Berlin: Wiley-VCH, Bd. 208.2011, 7, S. 1517-1519; http://dx.doi.org/10.1002/pssa.201000931

Sakalauskas, E.;  Wieneke, Matthias;  Dadgar, Armin;  Gobsch, G.;  Krost, Alois;  Goldhahn, Rüdiger 

Optical anisotropy of a-plane Al0.8In0.2N grown on an a-plane GaN pseudosubstrate
In: Physica status solidi / A - Weinheim: Wiley-VCH, insges. 4 S., 2011; http://dx.doi.org/10.1002/pssa.201100066

2010

Originalartikel in begutachteter internationaler Zeitschrift
Hotovy, I.;  Pezoldt, J.;  Kadlecikova, M.;  Kups, T.;  Spiess, L.;  Breza, J.;  Sakalauskas, E.;  Goldhahn, Rüdiger;  Rehacek, V. 

Structural characterization of sputtered indium oxide films deposited at room temperature
In: Thin solid films . - Amsterdam [u.a.] Elsevier, Bd. 518.2010, 16, S. 4508-4511

Kraft, C.;  Metzner, H.;  Hädrich, M.;  Reislöhner, U.;  Schley, Pascal;  Gobsch, Gerhard;  Goldhahn, Rüdiger 

Comprehensive photoluminescence study of chlorine activated polycrystalline cadmium telluride layers
In: Journal of applied physics . - Melville, NY : AIP, Bd. 108.2010, 12, S. 124503, insges. 8 S.

Köhler, K.;  Müller, S.;  Aidam, R.;  Waltereit, P.;  Pletschen, W.;  Kirste, L.;  Menner, H. P.;  Bronner, W.;  Leuther, A.;  Quay, R.;  Mikulla, M.;  Ambacher, O.;  Granzner, R.;  Schwierz, F.;  Buchheim, C.;  Goldhahn, Rüdiger 

Influence of the surface potential on electrical properties of Al x Ga1-x N/GaN heterostructures with different Al-content - effect of growth method
In: Journal of applied physics . - Melville, NY : AIP, Bd. 107.2010, 5, insges. 5 S.

Rossbach, G.;  Röppischer, M.;  Schley, P.;  Gobsch, G.;  Werner, C.;  Cobet, C.;  Esser, N.;  Dadgar, Armin;  Wieneke, Matthias;  Krost, Alois;  Goldhahn, Rüdiger 

Valence-band splitting and optical anisotropy of AlN
In: Physica status solidi . - Weinheim : Wiley-VCH, insges. 4 S.; Abstract unter URL: http://dx.doi.org/10.1002/pssb.200983677, 2010

Sakalauskas, Egidijus;  Behmenburg, H.;  Hums, C.;  Schley, Pascal;  Rossbach, Georg;  Giesen, C.;  Heuken, M.;  Kalisch, H.;  Jansen, R. H.;  Bläsing, Jürgen;  Dadgar, Armin;  Krost, Alois;  Goldhahn, Rüdiger 

Dielectric function and optical properties of Al-rich AlInN alloys pseudomorphically grown on GaN
In: Journal of physics . - Bristol : IOP Publ., Bd. 43.2010, 36, S. 365102, insges. 10 S.

Sakalauskas, Egidijus;  Schley, Pascal;  Räthel, Jochen;  Klar, Thomas;  Müller, René;  Pezoldt, Jörg;  Tonisch, Katja;  Grandal, J.;  Sánchez-García, M. A.;  Calleja, E.;  Vilalta-Clemente, A.;  Ruterana, P.;  Goldhahn, Rüdiger 

Optical properties of InN grown on Si(111) substrate
In: Physica status solidi . - Weinheim : Wiley-VCH, Bd. 207.2010, 5, S. 1066-1069

Schley, Pascal;  Räthel, Jochen;  Sakalauskas, Egidijus;  Gobsch, Gerhard;  Wieneke, Matthias;  Bläsing, Jürgen;  Krost, Alois;  Koblmüller, G.;  Speck, J. S.;  Goldhahn, Rüdiger 

Optical anisotropy of A- and M-plane InN grown on free-standing GaN substrates
In: Physica status solidi . - Weinheim : Wiley-VCH, Bd. 207.2010, 5, S. 1062-1065; Abstract unter URL: http://dx.doi.org/10.1002/pssa.200983104

Schupp, Thorsten;  Rossbach, Georg;  Schley, Pascal;  Goldhahn, Rüdiger;  Röppischer, Marcus;  Esser, Norbert;  Cobet, Christoph;  Lischka, Klaus;  As, Donat Josef 

MBE growth of cubic AlN on 3C-SiC substrate
In: Physica status solidi . - Weinheim : Wiley-VCH, Bd. 207.2010, 6, S. 1365-1368

Originalartikel in begutachteter zeitschriftenartiger Reihe
Schupp, Thorsten;  Rossbach, Georg;  Schley, Pascal;  Goldhahn, Rüdiger;  Lischka, Klaus;  As, Donat Josef 

Growth of atomically smooth cubic AlN by molecular beam epitaxy
In: Physica status solidi . - Berlin : Wiley-VCH, Bd. 7.2010, 1, S. 17-20

Waltereit, Patrick;  Bronner, W.;  Quay, Rüdiger;  Dammann, M.;  Müller, S.;  Köhler, Klaus;  Mikulla, M.;  Ambacher, Oliver;  Harm, L.;  Lorenzini, M.;  Rödle, T.;  Riepe, K.;  Bellmann, K.;  Buchheim, C.;  Goldhahn, Rüdiger 

Development of rugged 2 GHz power bars delivering more than 100 W and 60% power added efficiency
In: Physica status solidi . - Berlin : Wiley-VCH, Bd. 7.2010, 10, S. 2398-2403

2009

Originalartikel in begutachteter internationaler Zeitschrift
Buchheim, Carsten;  Röppischer, Marcus;  Goldhahn, Rüdiger;  Gobsch, Gerhard;  Cobet, Christoph;  Werner, C.;  Esser, Norbert;  Dadgar, Armin;  Wieneke, M.;  Bläsing, Jürgen;  Krost, Alois 

Influence of anisotropic strain on excitonic transitions in a-plane GaN films
In: Microelectronics journal . - Oxford : Elsevier Advanced Technology, Bd. 40.2009, 2, S. 322-324

2007

Originalartikel in begutachteter internationaler Zeitschrift
Goldhahn, Rüdiger;  Winzer, Andreas T.;  Dadgar, Armin;  Krost, Alois;  Weidemann, O.;  Eickhoff, M. 

Modulation spectroscopy of AlGaN/GaN heterostructures - the influence of electron-hole interaction
In: Physica status solidi . - Berlin : Wiley-VCH, Bd. 204.2007, 2, S. 447-458

2006

Originalartikel in begutachteter internationaler Zeitschrift
Winzer, Andreas T.;  Goldhahn, Rüdiger;  Gobsch, Gerhard;  Dadgar, Armin;  Krost, Alois;  Weidemann, O.;  Stutzmann, Martin;  Eickhoff, Martin 

Electroreflectance spectroscopy of Pt/AlGaN/GaN heterostructures exposed to gaseous hydrogen
In: Applied physics letters . - Woodbury, NY : Inst., Bd. 88.2006, 2, S. 024101, insges. 3 S.; Abstract unter URL: http://dx.doi.org/10.1063/1.2161394

Winzer, Andreas T.;  Gobsch, Gerhard;  Goldhahn, Rüdiger;  Fuhrmann, Daniel;  Hangleiter, A.;  Dadgar, Armin;  Krost, Alois 

Influence of excitons and electric fields on the dielectric function of GaN - theory and experiment
In: Physical review . - College Park, Md. : APS, Bd. 74.2006, 12, S. 125207, insges. 10 S.; Abstract unter URL: http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.74.125207

2004

Originalartikel in begutachteter internationaler Zeitschrift
Winzer, A.T. (ext.);  Goldhahn, R. (ext.);  Gobsch, G. (ext.);  Dadgar, Armin;  Witte, Hartmut;  Krtschil, Andre;  Krost, Alois 

Temperature dependence of the built-in electric field strength of AlGaN/GaN heterostructures on Si(111) substrate.
In: Superlattices and microstructures [London] 36(2004), S. 693 - 700

Kooperationen
  • Ferdinand-Braun-Institut - Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik
  • Dr. Z. Galazka, Leibniz-Institut für Kristallzüchtung Berlin
  • Prof. S. Fischer, Humboldt-Universität zu Berlin
  • Dr. Sudhir Kumar, M.J.P. Rohilkhand University Bareilly, Appl. Phys. Dept., India
  • Prof. R. Manzke, Humboldt-Universität zu Berlin
  • Prof. Matthias Bickermann, Leibniz-Institut für Kristallzüchtung Berlin
  • Prof. Norbert Esser, Leibniz-Institut für Analytische Wissenschaften Berlin
  • Leibniz-Institut für Kristallzüchtung Berlin
  • Paul-Drude-Institut für Festkörperelektronik
  • Humboldt-Universität zu Berlin
  • Fritz-Haber-Institut Berlin
  • Prof. M. Grundmann, Universität Leipzig
  • TU Berlin
Profil
  • Optische Prozesse in Halbleitern und niederdimensionalen Halbleiterheterostrukturen basierend auf Verbindungshalbleitern
  • Neuartige Materialien für die Elektronik, Optoelektronik und Sensorik (Nitride, Arsenide, Metalloxide)
  • Chalkopyrite und Nitride für die Photovoltaik
  • Entwicklung und Anwendung hochauflösender Spektroskopiemethoden unter Verwendung von Synchrotronstrahlung
  • Spektroskopische Ellipsometrie vom IR bis VUV
  • Elektro-optische Effekte
  • Photolumineszenz-Spektroskopie
Service
Beratung, Gutachten, Projekte zu Themenfeldern:
  • Optische Prozesse in Halbleitern und niederdimensionalen Halbleiterheterostrukturen
  • Ellipsometrie
  • Photolumineszenz
  • Neuartige Materialien für die Elektronik, Optoelektronik und Sensorik
  • Entwicklung und Anwendung hochauflösender Spektroskopiemethoden unter Verwendung von Synchrotronstrahlung
  • Charakterisierung und Vergröberungskinetik fraktaler Phasengrenzen und Grenzflächen in metallischen Legierungen
Vita
1981-1986Studium an der TH Ilmenau, Fachrichtung Elektronische Bauelemente
1986Diplomarbeit auf dem Gebiet Hableiterphysik, Forschungspreis der TH Ilmenau
1985-1988Forschungsstudium an der TH Ilmenau
1989Dissertation (Promotion A) auf dem Gebiet Halbleiterphysik zum Thema Elektroreflexions-Tiefenprofilanalyse von III-V-Halbleiterschichtstrukturen
1988-1993Wissenschaftlicher Assistent
1993Förderpreis der Deutschen Akademie der Naturforscher - Leopoldina
1993-1994Gastwissenschaftler am Physics Department der Universität Nottingham
1994-2010Wissenschaftlicher Mitarbeiter am Institut für Physik der TU Ilmenau, Leiter der Labore für Optische Spektroskopie
2009Habilitation und Ernennung zum Privatdozenten für das Gebiet "Experimentalphysik"
seit Februar 2010W3-Professur für Experimentalphysik/Materialphysik an der Otto-von-Guericke Universität Magdeburg
seit Februar 2010Gastprofessur am Institut für Physik der TU Ilmenau
presse
Prof. Rüdiger Goldhahn ist Leiter des Lehrstuhl für Experimentelle Physik / Materialphysik.Im Fokus stehen optische Prozesse in Halbleitern und Halbleiter-Heterostrukturen reduzierter Dimensionalität sowie die Entwicklung neuer Materialien für die Elektronik, Optoelektronik und Sensorik.

Letzte Änderung: 28.08.2017 - Ansprechpartner:

Sie können eine Nachricht versenden an: Webmaster
Sicherheitsabfrage:
Captcha
 
Lösung: